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    上大科技
    例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

    CS5230EA,內置電容升壓模塊,固定28倍增益,AB/D切換,防破音,5.2W單聲道GF類音頻功放IC

    作者:上大科技發布日期:2020-06-10瀏覽人數:

    CS5230EA,內置電容升壓模塊,固定28倍增益,AB/D切換,防破音,5.2W單聲道GF類音頻功放IC

    概要

         CS5230EA是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類誕生的音頻功放,可以為4Ω的負載提供最高5W的連續功率,CS5230EA內部固定的28倍增益,有效的減少了外圍元器件的數量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式,即可保證D類模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在FM的情況下,消除功放對系統的干擾;CS5230EA具有獨特的防破音(NCN)功能,可根據輸出信號的大小自動調整功放的增益,實現更加舒適的聽覺感受。

          CS5230EA的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動式音頻設備中,CS5230EA是理想的音頻子系統的功放解決方案。CS5230EA的全差分架構和極高的PSRR有效的提高了CS5230EA對RF噪聲的抑制能力。另外CS5230EA內置了過流保護和過熱保護,有效的保護芯片在異常的工作條件下不被破壞。

          CS5230EA提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

    特征

          集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式

    GF類音頻功放

           輸出功率

                Po at VABT= 5.0V,RL =  4Ω+33uH

                      THD+N=10%     5.2W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        4.3W(NCN OFF@D MODE

                Po at VABT= 4.2V,RL =  4Ω+33uH

                      THD+N=10%     4.8W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        4.1W(NCN OFF@D MODE)

                Po at VABT= 3.6V,RL =  4Ω+33uH


                      THD+N=10%     3.45W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        3.0W(NCN OFF@D MODE)

         輸入電壓范圍:2.7~5.5V

         關斷電流:<1uA

          待機電流:15mA

          D類調制頻率:300KHz

          防破音模式開關

          AERC專利技術,提供有益的全帶寬EMI抑制能力

          有益的“噼噗-咔嗒”(pop-noise)雜音 抑制能力

          高的電源抑制比(PSRR):在217Hz下為-80dB

           過溫保護     過壓保護

    應用

         藍牙音箱

         便攜式音頻設備

    封裝

        ESOP10 


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